Zhorés Alfiórov · Ciencia y medicina
Zhores Alfiórov nació en Vítebsk, en la República Soviética de Bielorrusia, el 15 de marzo de 1930, hijo de Iván Kárpovich Alfiórov y de Anna Vladímirovna Rosenblum, su madre, judía.
1930, Vitebsk, RSS de Bielorrusia (hoy Bielorrusia) — 2019, San Petersburgo, Rusia
Soviet Union / Russia (Ioffe Institute, Leningrad / Saint Petersburg)
Orígenes y juventud
Zhores Alfiórov nació en Vítebsk, en la República Soviética de Bielorrusia, el 15 de marzo de 1930, hijo de Iván Kárpovich Alfiórov y de Anna Vladímirovna Rosenblum, su madre, judía. Se graduó en electrónica en el Instituto Electrotécnico Uliánov de Leningrado en 1952 y entró al año siguiente en el Instituto Ioffe; allí hizo toda su carrera y en 1987 llegó a dirigirlo.
Obra y trayectoria
A comienzos de los años sesenta puso a un grupo a trabajar en heteroestructuras semiconductoras: cristales formados por capas de materiales distintos, donde los electrones pueden quedar encerrados en una lámina delgada en vez de vagar por la masa. Ese confinamiento es lo que hace funcionar un láser semiconductor a temperatura ambiente y lo que vuelve a un transistor lo bastante rápido para un teléfono móvil. Los diodos láser de la fibra óptica, de los lectores de discos compactos y de los lectores de códigos de barras, igual que los diodos emisores de luz que hoy iluminan habitaciones, descienden todos de los cristales en capas que él y su grupo aprendieron a hacer crecer.
Compartió el Premio Nobel de Física en 2000 por ese trabajo en optoelectrónica. Fue diputado de la Duma Estatal desde 1999 y murió en San Petersburgo el 1 de marzo de 2019.
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Fuente: Jinfo.org — Jews in Physics
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Zhores Alfiórov nació en Vítebsk, en la República Soviética de Bielorrusia, el 15 de marzo de 1930, hijo de Iván Kárpovich Alfiórov y de Anna Vladímirovna Rosenblum, su madre, judía.
Fuente: Jinfo.org — Jews in Physics
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