Żores Ałfiorow

Pochodzenie i młodość

Żores Ałfiorow urodził się w Witebsku, w Białoruskiej Republice Radzieckiej, 15 marca 1930 roku, jako syn Iwana Karpowicza Ałfiorowa i Anny Władimirowny Rosenblum, swojej żydowskiej matki. Elektronikę ukończył w Instytucie Elektrotechnicznym im.

Praca i kariera

Uljanowa w Leningradzie w 1952, a rok później dołączył do Instytutu Ioffego; spędził tam całą karierę i w 1987 został jego dyrektorem. Na początku lat sześćdziesiątych postawił zespół do pracy nad półprzewodnikowymi heterostrukturami — kryształami z warstw różnych materiałów, w których elektrony można zamknąć w cienkiej blaszce, zamiast pozwolić im błądzić w całej objętości. To zamknięcie sprawia, że laser półprzewodnikowy działa w temperaturze pokojowej, a tranzystor jest dość szybki dla telefonu komórkowego.

Diody laserowe w światłowodach, w odtwarzaczach płyt kompaktowych i w czytnikach kodów kreskowych, a także diody świecące, które dziś oświetlają pokoje, pochodzą wszystkie od warstwowych kryształów, które on i jego zespół nauczyli się hodować. W 2000 podzielił Nagrodę Nobla w dziedzinie fizyki za tę pracę w optoelektronice. Od 1999 zasiadał w Dumie Państwowej; zmarł w Petersburgu 1 marca 2019 roku.