Jaurès Alferov

Origines et jeunesse

Jaurès Alferov naît à Vitebsk, en république soviétique de Biélorussie, le 15 mars 1930, d'Ivan Karpovitch Alferov et d'Anna Vladimirovna Rosenblum, sa mère, juive. Diplômé d'électronique de l'institut électrotechnique Oulianov de Leningrad en 1952, il entre l'année suivante à l'institut Ioffe ; il y fera toute sa carrière et en deviendra le directeur en 1987.

Travail et carrière

Au début des années 1960, il met une équipe au travail sur les hétérostructures semi-conductrices — des cristaux faits de couches de matériaux différents, où les électrons peuvent être enfermés dans un feuillet mince au lieu d'errer dans la masse. C'est ce confinement qui fait fonctionner un laser à semi-conducteur à température ambiante, et qui rend un transistor assez rapide pour un téléphone mobile. Les diodes laser des fibres optiques, des lecteurs de disques compacts et des lecteurs de codes-barres, comme les diodes électroluminescentes qui éclairent aujourd'hui les pièces, descendent toutes des cristaux en couches que son groupe et lui ont appris à faire croître.

Il partage le prix Nobel de physique en 2000 pour ces travaux d'optoélectronique. Il siège à la Douma d'État à partir de 1999 et meurt à Saint-Pétersbourg le 1er mars 2019.