Жорес Иванович Алфёров

Происхождение и юные годы

Жорес Алфёров родился в Витебске, в Белорусской ССР, 15 марта 1930 года, у Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм, его матери-еврейки. Он окончил электронный факультет Ленинградского электротехнического института имени Ульянова в 1952 году и на следующий год пришёл в Физтех — Институт имени Иоффе; там он проработал всю жизнь и в 1987-м стал его директором.

Работа и карьера

В начале 1960-х он поставил группу на работу над полупроводниковыми гетероструктурами — кристаллами из слоёв разных материалов, где электроны можно запереть в тонком листе вместо того, чтобы они блуждали по всему объёму. Именно это удержание позволяет полупроводниковому лазеру работать при комнатной температуре и делает транзистор достаточно быстрым для мобильного телефона. Лазерные диоды в оптическом волокне, в проигрывателях компакт-дисков и в считывателях штрихкодов, как и светодиоды, которыми сегодня освещают комнаты, — все они происходят от слоистых кристаллов, которые он и его группа научились выращивать.

В 2000 году он разделил Нобелевскую премию по физике за эту работу в оптоэлектронике. С 1999 года он заседал в Государственной думе; умер в Санкт-Петербурге 1 марта 2019-го.